Référence fabricantSCT20N120
Fabricant / marqueSTMicroelectronics
quantité disponible24610 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
SCT20N120
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 400V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
175W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Package de périphérique fournisseur
HiP247™
Paquet / cas
TO-247-3
Poids
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Application
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Pièce de rechange
SCT20N120

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