STH260N6F6-6 STMicroelectronics Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | STH260N6F6-6 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | STMicroelectronics |
| Cantidad disponible | 52140 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | STH260N6F6-6.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de STH260N6F6-6 en 24 horas.
- Número de pieza
- STH260N6F6-6
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 60V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.4 mOhm @ 60A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 183nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 11800pF @ 25V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 300W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- H2PAK-6
- Paquete / caja
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- STH260N6F6-6
Componentes relacionados hechos por STMicroelectronics
-
-
STMicroelectronics128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC -
-
-
STMicroelectronics128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC
-
-
-
STMicroelectronicsConfigurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers IC
-
STMicroelectronics1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC
-
Palabras clave relacionadas para "STH2"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| STH2007TBR | STMicroelectronics | STH2007TBR STM IC BGA |
| STH210N75F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2 |
| STH240N10F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 |
| STH240N10F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 |
| STH240N75F3-2 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2 |
| STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK |
| STH245N75F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6 |
| STH250N55F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 |
| STH250N6F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK |
| STH260N6F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK |
| STH260N6F6-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 |
| STH265N6F6-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 |