SCTWA50N120 STMicroelectronics Distribuidor
Número de pieza del fabricante | SCTWA50N120 |
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Fabricante / Marca | STMicroelectronics |
Cantidad disponible | 69040 Pieces |
Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descripción | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | SCTWA50N120.pdf |
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- Número de pieza
- SCTWA50N120
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 1200V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 65A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 69 mOhm @ 40A, 20V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 1mA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 122nC @ 20V
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1900pF @ 400V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 318W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- HiP247™
- Paquete / caja
- TO-247-3
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SCTWA50N120
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Número de pieza | Fabricante | Descripción |
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