NAND04GW3B2DN6E(ROHS) STMicroelectronics Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | NAND04GW3B2DN6E(ROHS) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | STMicroelectronics |
| Cantidad disponible | 49920 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | NAND04GW3B2DN6EROHS STM IC TSOP-48 |
| categoria de producto | STM IC |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | NAND04GW3B2DN6E(ROHS).pdf |
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- Número de pieza
- NAND04GW3B2DN6E(ROHS)
- Estado de producción (ciclo de vida)
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- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Embalaje / Caja
- TSOP-48
- Serie
- NAND04GW
- País de origen
- contact us
- Estado de la pieza
- Active
- Configuración de salida
- -
- Tipo de salida
- -
- Cantidad de reguladores
- -
- Voltaje - Entrada
- -
- Voltaje - Salida
- -
- Salida de corriente
- -
- Suministro de corriente
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- Funciones de control
- -
- Funciones de protección
- -
- Temperatura de funcionamiento
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- Paquete de dispositivo del proveedor
- -
- Otro número de parte
- NAND04GW3B2DN6E(ROHS)
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
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| NAND04GA3C2AN1E | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN1F | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN6E | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN6F | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GR3B2DDI6 | STMicroelectronics | NAND04GR3B2DDI6 STM IC ORIGINAL |
| NAND04GR3B2DZL6E | STMicroelectronics | NAND04GR3B2DZL6E STM IC ORIGINAL |
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| NAND04GR4E1AZE6E | STMicroelectronics | NAND04GR4E1AZE6E STM IC ORIGINAL |
| NAND04GW3B2AN1E | STMicroelectronics | 4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND04GW3B2AN1F | STMicroelectronics | 4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories IC |